特許

J-GLOBAL ID：200903082936939220

マイクロ波プラズマ処理装置及び方法

発明者： 本郷 俊明
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277495
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、処理媒体にプラズマに基づく格子欠陥をもたらさないマイクロ波プラズマ処理装置及び方法を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】 プラズマの電子エネルギー分布において10eV以上の電子の存在確率が20分の1以下になるような周波数を有するマイクロ波を通常使用されている2.45GHzのマイクロ波の代わりに使用した。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を発生するマイクロ波源と、前記マイクロ波を案内するスロット電極と、反応ガスを供給する反応ガス源と、真空ポンプと、前記反応ガス源と前記真空ポンプに接続可能で被処理体を収納することができ、前記スロット電極を通過した前記マイクロ波は前記反応ガスをプラズマ化して、減圧環境下で前記被処理体に所定のプラズマ処理を施すことができる処理室とを有し、前記マイクロ波は前記プラズマ化された前記反応ガスの電子エネルギー分布において10eV以上の電子の存在確率が20分の1以下になるような周波数を有するマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 E ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B

Fターム (35件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18 ,  4K030KA17 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB22 ,  5F004BD01 ,  5F045AA09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045DP04 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300039   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-153357   出願人：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩