特許

J-GLOBAL ID：200903082946313124

整流用半導体装置

発明者： 若田部 勝 ,  石田 純一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037573
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226521
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 整流用ダイオ-ドとしての諸特性(IR、VF、trr等)の向上を図った半導体装置を提供する。【構成】 N型半導体基板3の表面に複数のショットキ金属接合部1と、前記N型基板3よりも高不純物濃度を有する複数のP型半導体領域2を形成して成るPN接合部とを並列に配設した整流ダイオ-ドにおいて、前記P型領域2が低不純物濃度部2bの上部面の少なくとも一部を覆いかつ低不純物濃度部(2b)より浅く形成された高不純物濃度部2aとから成り、前記ショットキ金属1がショットキ接合周辺において高不純物濃度部2aと接し、かつ高不純物濃度部2a表面とオ-ミック接触している構造を特徴とする。

請求項（抜粋）：

N型半導体基板の表面に複数のショットキ金属接合部と、前記N型基板よりも高不純物濃度を有する複数のP型半導体領域を形成して成るPN接合部とを並列に配設した整流ダイオ-ドにおいて、前記P型領域が低不純物濃度部(P-)の上部の全面を覆う高不純物濃度部(P+)とから成り、前記ショットキ金属がショットキ接合周辺において高不純物濃度部(P+)と接し、かつ高不純物濃度部(P+)表面の全面と接している構造を特徴とする整流用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 整流用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203969   出願人：新電元工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 整流用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203969   出願人：新電元工業株式会社