特許
J-GLOBAL ID：200903082946845797
太陽電池基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122764
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 太陽電池内に入射した光の閉じ込め効果を高め、かつ均質な薄膜を形成することのできる太陽電池基板の製造方法を提供すること【構成】 上記目的は、薄膜太陽電池を形成する基板の主面において、少なくとも薄膜太陽電池を形成する部分を凹凸形状化し、該凹凸の平均段差以下の厚さの薄膜を該凹凸形状の底部に選択的に形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法とすることによって達成することができる。
請求項（抜粋）：
薄膜太陽電池を形成する基板の主面において、少なくとも薄膜太陽電池を形成する部分を凹凸形状化し、該凹凸の平均段差以下の厚さの薄膜を該凹凸形状の底部に選択的に形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
