特許

J-GLOBAL ID：200903082947797931

半導体装置の製造方法

発明者： 松橋 秀明 ,  西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335483
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、キャパシタ用絶縁膜としてTa2 O5 膜を使用した半導体装置の製法に関するもので、その絶縁膜と下部電極との間に形成されたSiO2膜により誘電率が低下することを除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的達成のため本発明は、絶縁膜であるTa2 O5 膜14を形成した後、亜酸化窒素(N2 O)ガス雰囲気中で熱処理するようにしたものである。その結果、Ta2 O5 膜14と下部電極(ポリシリコン)13aとの間にできるSiO2 膜15は従来より薄くできる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に、キャパシタ用下部電極を形成する工程、(b)前記下部電極上にキャパシタ用絶縁膜としてタンタルオキサイド(Ta2 O5 )膜を形成する工程、(c)前記タンタルオキサイド膜を亜酸化窒素(N2 O)ガス雰囲気中において熱処理をすることを含む工程、以上の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/31