特許
J-GLOBAL ID：200903082949512683
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087598
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302587
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 化学的気相成長法によって半導体ウエハ上に所定の絶縁膜を堆積する際に、半導体ウエハの主面上における成膜の不均一性に起因してその絶縁膜の上面に微細な凹凸が形成されるのを抑制する。【構成】 化学的気相成長法によって半導体ウエハ上に所定の絶縁膜を堆積する成膜処理Bに先立って、半導体ウエハに対して第1酸化処理Aを施し、半導体ウエハの主面に薄い絶縁膜を形成することにより、半導体ウエハの主面内における化学的安定性を均一にする。
請求項（抜粋）：
化学的気相成長法によって半導体ウエハ上に所定の絶縁膜を堆積する成膜処理に先立って、前記半導体ウエハに対して第1酸化処理を施すことを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
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