特許
J-GLOBAL ID：200903082949620575
ICPスパッタリング処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-018433
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：
【要約】【目的】 ICPにより高密度プラズマを得て,このプラズマによりスパッタリングを行うICPによるスパッタリング処理装置を提供する。【構成】 真空容器2内に高周波電場を誘起させるためのアンテナ3が真空容器2内に配設され,尚且つアンテナ3がターゲット材を兼ねて構成される。アンテナ形状を単純な形状に形成してもICPによるプラズマ発生には問題なく,単純形状であるため真空容器2内に配設することができる。同時にアンテナ形状をターゲット材に適した形状に形成することによってターゲット材を兼ねたアンテナ3として,発生させるプラズマ内にアンテナ3とターゲット材とが配設された構成がなされる。アンテナが真空容器内に配設されるため,従来の真空容器外からの誘導結合による構成の場合に生じる高周波カットオフの発生はなく,安定したスパッタリング処理が実施できる。
請求項（抜粋）：
アンテナから真空容器内に印加される高周波電力により上記真空容器内に高周波電場を誘起させ,上記真空容器内に導入された処理ガスを上記高周波電場によりプラズマ化し,該プラズマにより生成されたイオンによりバイアス電圧が印加されたターゲット材をスパッタリングし,生成されたスパッタ粒子により上記真空容器内に配置された試料上に薄膜堆積を行うICPスパッタリング処理装置において,上記アンテナが上記ターゲット材で形成され,且つ該アンテナが上記真空容器内のプラズマ発生領域に上記イオンと接触可能の状態で配設されてなることを特徴とするICPスパッタリング処理装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H05H 1/46
