特許

J-GLOBAL ID：200903082951129226

疎密2層構造の酸化物高温超伝導体の製造方法,及び酸化物高温超伝導体

発明者： 秋津 哲也 ,  衣斐 顕 ,  松沢 秀典
出願人/特許権者： 株式会社山梨ティー・エル・オー
代理人 (1件)： 牛久 健司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257206
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063824
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 結晶密度が密の高温超伝導層と疎の高温超伝導層とから成る疎密2層構造の酸化物高温超伝導体の製造方法,及び酸化物高温超伝導体を提供する。【解決手段】 予備焼成後,加圧成形プロセスを経た酸化物超伝導材料の少なくとも一つの面に,レーザー光を,照射位置を変えながら,照射領域が連続するように照射し,その後,前記酸化物高温超伝導材料を本焼成する。

請求項（抜粋）：

予備焼成後,加圧成形プロセスを経た酸化物高温超伝導材料の少なくとも一つの面に,レーザー光を,照射位置を変えながら,照射領域が連続するように照射し,その後,前記酸化物高温超伝導材料を本焼成する酸化物高温超伝導体の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/00 ,  H01L 39/24

FI (5件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/00 Z ,  H01L 39/24 Z

Fターム (21件)：

4G047JB04 ,  4G047JC10 ,  4G047KB04 ,  4G047LA04 ,  4G047LA10 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC04 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4M113AC44 ,  4M113BA26 ,  4M113BA29 ,  4M113BC09 ,  4M113CA35 ,  5G321AA01 ,  5G321AA05 ,  5G321BA07 ,  5G321CA06 ,  5G321DB55