特許
J-GLOBAL ID：200903082951168620
トップ・ドレイン・トレンチ形RESURF DMOSトランジスタ構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097450
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 優れたRDSオン特性を有し、一方、小さなトランジスタ面積領域を有する、高電圧電力用トランジスタを提供する。【構成】 トップ・ドレイン・トレンチ形RESURF DMOSトランジスタ構造体により、トランジスタ・セル・ピッチをできるだけ小さくすることによって、優れたRDSオン特性が得られる。前記トランジスタは、ゲートと、ソースと、ドレインを有する。トレンチは不均一な誘電体裏打ち体を有することができる。ドレイン・ドリフト領域が前記トレンチを部分的に取り囲む。多重トレンチ形RESURF DMOSトランジスタを1個の半導体ダイの上に作成することを可能にし、電流は横方向に流れる。ソースを基板から電気的に分離するための分離領域を付加することにより、高レベル側駆動器への応用に、およびソースとアースとの間に電気的な分離を必要とする他の応用に、この電力用トランジスタを組み込むことができる。
請求項（抜粋）：
ソースと、ドレインと、前記ソースと前記ドレインとの間のトレンチの中に作成されたゲートと、を有する、高電圧電力用トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 V
, H01L 29/78 321 X
