特許
J-GLOBAL ID：200903082955847077
シリコン薄膜の結晶性評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306820
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121509
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 非接触・非破壊で、かつ小型の装置で測定できる半導体のアモルファス化の程度を評価する方法を得る。【構成】 単結晶シリコン基板と、被評価シリコン薄膜とに紫外領域の光をそれぞ照射し、両試料からの反射光の強度の比(反射強度比)K(λ)の波長依存性を求める。波長235nm及び320nmにおける反射強度を示す点P1 ,P2を結んだ直線PLを求め、波長270nmに対して直線PLが与える仮想的な反射強度比Kiから実際の反射強度比Krを差し引いた値を求めて指標ΔKとする。同様にして真のアモルファス相のみからなるシリコンについて指標ΔKaを求める。【効果】 指標ΔKを指標ΔKaと比較することにより、被評価シリコン薄膜のアモルファス化の程度を評価することができる。
請求項（抜粋）：
(a)基準となる単結晶シリコン基板と、被評価シリコン薄膜とに対して紫外領域の光を照射し、前記単結晶シリコン基板からの反射光の強度である第1の反射強度及び前記被評価シリコン薄膜からの反射光の強度である第2の反射強度をそれぞれ測定し、第2の反射強度を第1の反射強度と比較して、前記被評価シリコン薄膜の第1の反射指標を求める工程と、(b)基準となるアモルファス相のみからなるシリコンの前記紫外領域における反射光の強度を、前記単結晶シリコン基板、若しくは前記単結晶シリコン基板と同種の基準となる単結晶シリコン基板の前記紫外領域における反射光の強度と比較して、前記アモルファス相のみからなるシリコンの第2の反射指標を求める工程と、(c)前記被評価シリコン薄膜の前記第1の反射指標を前記アモルファス相のみからなるシリコンの前記第2の反射指標と比較して、前記被評価シリコン薄膜のアモルファス指数を求める工程と、を備えたシリコン薄膜の結晶性評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G02F 1/136 500
, G01N 21/88
