特許
J-GLOBAL ID:200903082956407593

MISトランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 永井 冬紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-225019
公開番号(公開出願番号):特開平5-048088
出願日: 1991年08月09日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 ホットキャリアのゲート絶縁膜への注入を抑制しうるMISトランジスタを提供する。【構成】 基板21上に形成されたソース領域25およびドレイン領域24と、これらソース領域25およびドレイン領域24の間に形成されるチャネル領域32と、このチャネル領域32に近接して設けられたゲート電極23とを備えたMISトランジスタにおいて、基板21とゲート電極23との間に、少なくともドレイン領域24とチャネル領域32との境界部33の上方を覆う真空または不活性気体が充満された空洞領域28、29を設けた。
請求項(抜粋):
基板に形成されたソース領域およびドレイン領域と、これらソース領域およびドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域に近接して設けられたゲート電極とを備えたMISトランジスタにおいて、前記基板とゲート電極との間に形成され、少なくとも前記ドレイン領域とチャネル領域との境界部の上方を覆う真空または不活性気体が充満された空洞領域を備えたことを特徴とするMISトランジスタ。
IPC (2件):
H01L 29/784 ,  H01L 21/336
FI (2件):
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L

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