特許

J-GLOBAL ID：200903082958437732

エチルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタ ジエン)イリジウムとその製造方法及びそれを用いた イリジウム含有薄膜の製造方法

発明者： 門倉 秀公
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129407
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292888
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の電極用薄膜として、Ir,IrO2膜をCVD法でつくるための室温で液体のIr化合物とその製造方法およびその化合物を用いて膜をつくる方法を提供することである。【解決手段】 新規化合物であるエチルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタジエン)イリジウム(C2H5C5H4)Ir(C8H12)は、室温で液体であり、100°C付近で充分な蒸気圧を有しているので、CVD原料として、ガスバブリングないし液体マスフローコントローラーにより定量的に供給でき、低酸素分圧雰囲気中、300°Cの基板上で熱分解し、純Ir薄膜を形成することができた。該化合物は、ビス(1,5-シクロオクタジエンクロロイリジウム)とナトリウムエチルシクロペンタジエニドを溶媒中で反応させて高収率で製造できた。

請求項（抜粋）：

エチルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタジエン)イリジウム。

IPC (2件)：

C07F 15/00 ,  C23C 16/18

FI (2件)：

C07F 15/00 E ,  C23C 16/18