特許

J-GLOBAL ID：200903082965870859

ハイブリッド光導波回路およびその製造方法

発明者： 河野 健治 ,  山田 泰文 ,  鈴木 扇太 ,  渡部 直也 ,  吉本 直人
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-210018
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 誘電体光導波回路と半導体光導波回路を精度よく位置合わせして固定して低損失で製作性および歩留まりの優れたハイブリッド光導波回路を製造する。【構成】 Si基板18の表面近傍にGeドープSiO2コアからなる誘電体光導波路が形成された誘電体光導波回路16と、n-InP基板22の表面近傍にi-MQWコア層25からなる半導体光導波路が形成された半導体光導波回路17とから構成されたハイブリッド光導波回路において、誘電体光導波回路16の少なくとも一部にSi基板18を貫通するように貫通孔16を形成するとともに、貫通孔16の誘電体光導波路が形成された側から、半導体光導波回路17の半導体光導波路が形成された側を遊挿して、誘電体光導波路と半導体光導波路とを光学的に結合させる。

請求項（抜粋）：

第1の基板の少なくとも一方の表面近傍に誘電体光導波路が形成された誘電体光導波回路と、第2の基板の一方の表面近傍に半導体光導波路が形成された半導体光導波回路とから構成されたハイブリッド光導波回路において、前記誘電体光導波回路の少なくとも一部に前記第1の基板を貫通するように貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔の前記誘電体光導波路が形成された側から、前記半導体光導波回路の前記半導体光導波路が形成された側を遊挿して、前記誘電体光導波路と前記半導体光導波路とを光学的に結合させたことを特徴とするハイブリッド光導波回路。