特許

J-GLOBAL ID：200903082971406633

基板処理方法

発明者： 吉田 安志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007434
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196314
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 基板処理方法の処理時間やタクトタイムを細かく設定する。【解決手段】 マルチチャンバ型CVD装置の加熱チャンバに複数段形成された各スロットに基板を一枚ずつ収容して予熱するに際して、予め、複数段のスロットのうち使用中止のスロットを指定し、その後は、その指定されたスロットを除いた複数段のスロットを使用して基板の予熱を実施する。【効果】 故障スロットや基板が割れたスロットを使用中止スロットに指定した後に故障を修理したり割れた基板を搬出することなく予熱を継続することにより、マルチチャンバ型CVD装置の稼働率や生産性の低下を防止できる。また、複数段のスロットのうちタクトタイムに基づいて算出した段数に対応して使用中止スロットを指定することにより、最適のタクトタイムに対応した段数のスロットによって基板の予熱を実施でき、最適の状況で基板を予熱できる。

請求項（抜粋）：

チャンバに複数段形成された各スロットに基板が一枚ずつ収容されて処理が実施される基板処理方法において前記複数段のスロットのうち使用中止のスロットが指定され、その後は、その指定されたスロットを除いた前記複数段のスロットが使用されて前記処理が実施されることを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/302 B

Fターム (30件)：

4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA13 ,  4K030KA08 ,  4K030KA39 ,  4K030LA18 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB19 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EN04 ,  5F045GB16 ,  5F045HA25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 容器類保持装置を有する積み重ね枠
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315397   出願人：株式会社ダイニチマテニクス