特許

J-GLOBAL ID：200903082980427651

電力増幅モジュール

発明者： 松崎 賢一郎 ,  石井 学 ,  乙部 健二 ,  橋長 達也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250987
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097872
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【目的】 パワーアンプから発生した熱を外部に高効率で放出することにより、高性能化を達成した電力増幅モジュールを提供する。【構成】 電力増幅モジュール10は、中空な内部を有して形成されたパッケージ20と、パッケージ20の内部に設置されて電子回路パターンが形成された表面とパッケージ20の内面に接触する裏面との間を貫通する繰り抜き穴52a,52bを有して形成された配線基板50と、繰り抜き穴52a,52bに露出されたパッケージ20の内面上に設置されたヒートスプレッダ60a,60bと、ヒートスプレッダ60a,60bの表面上に設置され、配線基板50の電子回路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を構成する半導体チップ70a,70bとを備える。ここで、パッケージ20及びヒートスプレッダ60a,60bは、配線基板50の構成材料よりも大きい熱伝導率を有する材料でそれぞれ形成される。

請求項（抜粋）：

中空な内部を有して形成されたパッケージと、このパッケージの内部に設置され、電子回路パターンが形成された表面と当該パッケージの内面に接触した裏面との間を貫通する少なくとも一つの繰り抜き穴を有して形成された配線基板と、この配線基板の少なくとも一つの繰り抜き穴に露出された前記パッケージの内面上にそれぞれ設置された少なくとも一つのヒートスプレッダと、この少なくとも一つのヒートスプレッダの表面上にベアチップ状態でそれぞれ設置され、前記配線基板の電子回路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を構成する少なくとも一つの半導体チップとを備え、前記パッケージ及び前記少なくとも一つのヒートスプレッダは、前記配線基板の構成材料よりも大きい熱伝導率を有する材料でそれぞれ形成されたことを特徴とする電力増幅モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-137739
  
• パツケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304956   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-307256