特許
J-GLOBAL ID：200903082983429728
スパッタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325705
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126844
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：
【要約】【目的】 2時間程度しかないセルフスパッタターゲットの寿命を長くし、長期にわたって連続運転を行うことができるセルフスパッタ装置を提供する。【構成】 面状で表面に凸部をもつターゲット41の裏に磁石46を配し、セルフスパッタを行う。セルフスパッタはターゲットの形状や磁束密度に敏感なので、凸部がへこむにつれて磁石の位置即ちターゲットの表面の磁束密度を最適値に保ちながらセルフスパッタを行う。磁石を小さくして同時に回転などを行うと、早すぎるセルフスパッタ速度を適度な値にすることができる。
請求項（抜粋）：
内部を真空に出来る真空容器、前記真空容器の内部に設けられた陰極機構、前記陰極機構内の陰極の表面が面状をなし且つ陰極の放電にさらさられる面(表面)の反対側の面(裏側)に磁気機構を配し、前記磁気機構により陰極の放電にさらさられる面の一端から出て他端に入る磁力線を発生せしめ、且つ面状にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、前記陰極に電力を供給する手段、放電空間の圧力を調整するガス導入系とよりなるスパッタ装置において、陰極表面上の磁束密度を可変することの出来るスパッタ装置。
IPC (2件)：
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