特許

J-GLOBAL ID：200903082984843439

窒素を含むIII-V族化合物半導体膜の製造方法

発明者： 田上 文保 ,  榊原 慎吾 ,  藤安 洋
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242058
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 良質のp型半導体膜を得ることを可能としたNを含むIII-V族化合物半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】 減圧されるチャンバ11内の第1の固体ソース容器13に、半導体膜の母相となる第1の固体ソースGaを収容し、第1の固体ソース容器13と同軸的に第1の固体ソース容器13の下方に配置された第2の固体ソース容器14にはアクセプタ不純物源となる第2の固体ソースMg3N2を収容して、これらを加熱蒸発させ、これらの蒸発気体を外部から供給されるNH3と共にガス案内管15において熱分解して、その上方に配置された成膜用基板18にp型GaN膜を形成する。

請求項（抜粋）：

減圧されたチャンバ内で半導体膜の母相となる第1の固体ソースを含む原料を熱分解して成膜用基板に窒素を含むIII-V族化合物半導体膜を形成する方法において、前記チャンバ内にMg3N2を含む第2の固体ソースを配置して、この第2の固体ソースを前記原料と共に熱分解し、生成されたMgをアクセプタ不純物として添加した化合物半導体膜を形成することを特徴とする窒素を含むIII-V族化合物半導体膜の製造方法。