特許
J-GLOBAL ID:200903082988345298
スメクティック液晶化合物
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-306942
公開番号(公開出願番号):特開2008-013539
出願日: 2006年11月13日
公開日(公表日): 2008年01月24日
要約:
【課題】室温付近で高次のスメクティック相を示し、溶液プロセスにより室温で安定なスメクティック液晶性薄膜を形成できることに加え、優れた両極性の電荷輸送性を示す液晶性半導体並びにこれを用いた薄膜トランジスター等を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物(式中、R1は炭素数1〜8の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜8のアルキル基、あるいは、アルコキシ基を示す。式中、nは0〜3の整数である。) 上記スメクティック液晶を用いた両極性電荷輸送材料。上記スメクティック液晶化合物を含む薄膜層を備えた有機半導体薄膜。該有機半導体薄膜を用いた薄膜トランジスター。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物。
IPC (6件):
C07D 333/10
, H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, C09K 19/34
FI (6件):
C07D333/10
, H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, C09K19/34
Fターム (20件):
4H027BA03
, 4H027BD24
, 4H027BE06
, 4H027DJ01
, 5F110AA05
, 5F110AA16
, 5F110BB03
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG05
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK32
引用特許:
引用文献:
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