特許

J-GLOBAL ID：200903082995568960

半導体エッチング方法および半導体レーザ装置

発明者： ティモシー デビット ベストウイック ,  クレイグ トンブリング
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046312
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331117
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 対称的な断面形状および平滑な側壁を有する半導体レーザのリッジを形成できる半導体エッチング方法を提供する。【解決手段】 SiCl4プラズマまたはSiCl4/(He,Ne)プラズマを用いて(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体層構造がエッチングされる。エッチングは、0°C〜80°Cの温度および1.33×10-1Pa(1mTorr)未満のプラズマ圧力で行われる。エッチングされた表面は、(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体レーザの製造において用いられるエチングプロセスにとって十分に平滑である。

請求項（抜粋）：

SiCl4プラズマを用いた(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体層をエッチングする方法であって、該エッチングが1.33×10-1Pa(1mTorr)未満の圧力で行われる半導体エッチング方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-123428
  
• 面発光レーザ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-083842   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-229069   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-117251