特許
J-GLOBAL ID：200903082999694391
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180697
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031959
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルの面積を大きくすることなしに制御ゲート電極と浮遊ゲート電極とがオーバーラップする領域の面積を大きくする。【構成】 素子分離膜21上における浮遊ゲート電極23との間に隙間領域15を設け、層間絶縁膜16を介して隙間領域15を埋め込むようにして制御ゲート電極22を浮遊ゲート電極23上に積層させる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に所定の間隔を介して形成された第2導電型のソース/ドレイン拡散層と、前記ソース/ドレイン拡散層の間に形成されたチャネル領域にトンネル酸化膜を介して一部の領域が接している浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に形成されるとともに少なくとも一部の領域が前記浮遊ゲート電極の下面に絶縁膜を介して接する制御ゲート電極とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
