特許

J-GLOBAL ID：200903083000309760

半導体記憶装置

発明者： 鈴木 紀勝 ,  鵜飼 裕明 ,  関 照夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061273
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255497
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】本発明は不良ビット線による貫通電流の発生を未然に防止して、消費電力を低減し得る半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】多数対のビット線BL,バーBLには該ビット線をプリチャージするプリチャージ回路31がそれぞれ備えられる。プリチャージ回路31は、制御信号BLCの入力に基づいて前記ビット線BL,バーBLのプリチャージ電位をあらかじめ設定された複数の異なる電位の中から選択可能に構成され、プリチャージ回路31には、該プリチャージ回路に制御信号BLCを出力する制御回路32が接続される。

請求項（抜粋）：

多数対のビット線には、該ビット線をプリチャージするプリチャージ回路をそれぞれ備えた半導体記憶装置であって、前記プリチャージ回路は、制御信号の入力に基づいて前記ビット線のプリチャージ電位をあらかじめ設定された複数の異なる電位の中から選択可能とし、前記プリチャージ回路には、該プリチャージ回路に前記制御信号を出力する制御回路を接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/413

FI (3件)：

G11C 29/00 301 B ,  G11C 11/34 M ,  G11C 11/34 341 C