特許

J-GLOBAL ID：200903083000644666

半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 尚史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172179
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性基板上に、結晶粒界の極めて少ない大粒径の結晶粒を選択的に形成して、高電界移動度、かつ、オフ時のリーク電流が低いTFTを得る。【解決手段】 絶縁性基板1上に非晶質シリコン薄膜3aを堆積し、その上にチャネル領域6形成部分が露出するように、非晶質シリコン薄膜よりも比熱容量の小さい膜4を選択的に形成する。その後、基板裏面からレーザー光5を照射して非晶質シリコン薄膜3aを結晶化する。また、比熱容量の小さい膜4をマスクとして、結晶性シリコン薄膜3をエッチングすることによりチャネル領域6を薄膜化する。比熱容量の小さい膜4の材料としては、耐熱性のあるCr、Ta、Ti、Nb、Ni、Mo、W、これらの合金またはこれらのシリサイドが好ましい。これらの材料は、結晶性シリコン薄膜に対してエッチングの際の選択比を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に結晶性半導体薄膜からなる活性領域を有し、該活性領域の一部がチャネル領域として用いられる半導体装置の製造方法であって、該基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程と、該非晶質半導体薄膜の少なくともチャネル領域形成部分を露出させて、該非晶質半導体薄膜上に該非晶質半導体薄膜よりも比熱容量の小さい材料からなる膜を選択的に形成する工程と、該基板の非晶質半導体薄膜形成側とは反対側からレーザー光を照射して、該非晶質半導体薄膜を結晶化させて結晶性半導体薄膜を得る工程と、該非晶質半導体薄膜よりも比熱容量の小さい材料からなる膜を除去する工程と、該結晶性半導体薄膜を活性領域の形状に加工する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/308 ,  H01S 3/0953

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/308 F ,  H01S 3/095 B