特許
J-GLOBAL ID：200903083003240175
パターン形成方法およびパターン形成用多層膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315016
公開番号（公開出願番号）：特開2004-151267
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、波長193nm以下において透明性の高いフッ素含有重合体を含有するレジスト被膜とを組み合わせることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成でき、ドライエッチング工程において高いアスペクト比を有するパターンを形成できるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。【解決手段】パターン形成方法は、▲1▼炭素含量が80重量%以上の重合体を含有する第一下層膜、▲2▼シロキサン成分を含有する第二下層膜、並びに▲3▼酸の作用によりアルカリ易溶性となる、フッ素含量が30重量%以上の重合体、および感放射線性酸発生剤を含有するレジスト被膜を順次形成して、放射線を露光し、露光したレジスト被膜を現像する工程を有する。パターン形成用多層膜は、第一下層膜、第二下層膜およびレジスト被膜を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(1)炭素含量が80重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜100,000の重合体(イ)を含有する第一下層膜を形成する工程、(2)当該第一下層膜上に、シロキサン成分(ロ)を含有する第二下層膜を形成する工程、(3)当該第二下層膜上に、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となり、かつフッ素含量が30重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜500,000の重合体(ハ)、および感放射線性酸発生剤を含有するレジスト被膜を形成する工程、(4)放射線を露光する工程、並びに(5)露光したレジスト被膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F7/11
, G03F7/039
, H01L21/027
G03F7/11 503
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 573
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025DA34
, 2H025DA40
, 2H025FA17
, 5F046LA18
, 5F046NA06
, 5F046NA11
, 5F046NA13
, 5F046PA08
