特許

J-GLOBAL ID：200903083003923949

半導体装置の製造方法

発明者： 堀 勝 ,  矢野 博之 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090226
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 ドライエッチングによる高精度の加工を可能とし、配線,キャパシタ等のデバイスの信頼性を向上させることを目的とする。【構成】 Si基板11の表面にAlSiCu薄膜を有する被処理基体表面上に炭素膜14を被着した後、この炭素膜14上に所定パターンのレジスト15を形成し、このレジスト15をマスクとして炭素膜14をパターニングし、次いでレジスト15を除去し、しかるのち炭素膜14をマスクとして薄膜13を選択的にドライエッチングすることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

透光性基板表面上に不透明膜又はシリコン酸化膜が形成された被処理基体上に炭素膜を被着する工程と、前記炭素膜上に有機レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記炭素膜をエッチングする工程と、次いで前記被処理基体を真空容器内に設置し、該容器内にハロゲンを主成分としたエッチングガスを導入すると共に放電を誘起してプラズマを生成し、前記炭素膜パターンに沿って前記不透明膜又はシリコン酸化膜を異方性エッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-212136
  
• 特開昭62-136025
  
• 特開昭60-120526