特許
J-GLOBAL ID:200903083010229373

窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 勝成 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-276607
公開番号(公開出願番号):特開平6-100370
出願日: 1992年09月21日
公開日(公表日): 1994年04月12日
要約:
【要約】【目的】 粗大粒を含まない均一で微細な結晶粒で構成され、且つアスペクト比の大きな柱状結晶を含む組織とすることで、強度と破壊靭性を同時に向上させた窒化ケイ素系焼結体を提供する。【構成】 母相の窒化ケイ素が66〜99体積%のβ-Si3N4と残部のα-Si3N4とからなり、これら窒化ケイ素は短軸径500nm以下でアスペクト比5〜25の柱状結晶と平均粒径300nm以下の等軸状結晶とで構成され、且つ母相結晶粒内及び粒界相にチタン化合物を含有する窒化ケイ素系焼結体。この窒化ケイ素系焼結体は、α-Si3N4粉末に酸化チタンと焼結助剤を添加し、その成形体を不活性ガス雰囲気中1300〜1600°Cで1次焼結し、次に10気圧以上の不活性ガス雰囲気中1400〜1650°Cで2次焼結して製造される。
請求項(抜粋):
母相となる窒化ケイ素が66〜99体積%のβ-Si3N4と残部のα-Si3N4とからなり、これらの窒化ケイ素は短軸径500nm以下でアスペクト比5〜25の柱状結晶と平均粒径300nm以下の等軸状結晶とで構成され、且つ母相結晶粒内及び粒界相にチタン化合物を含有することを特徴とする窒化ケイ素系焼結体。

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