電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-206687
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027366
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】半導体活性層6、ゲート電極2、ソース電極4及びドレイン電極5を含む電界効果型トランジスタであって、前記半導体活性層6が、重合性基を有する液晶性化合物の少なくとも一種と、光感応性異性化基を有する化合物の少なくとも一種とを含有する層、又は光感応性異性化基及び液晶性官能基の双方を有する化合物の少なくとも一種を含有する層から形成される電界効果型トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む電界効果型トランジスタであって、前記半導体活性層が、重合性基を有する液晶性化合物の少なくとも一種と、光感応性異性化基を有する化合物の少なくとも一種とを含有する層、又は光感応性異性化基及び液晶性官能基の双方を有する化合物の少なくとも一種を含有する層から形成される電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 310L

Fターム (40件)：

5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭62-85467号公報
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264313 出願人：三菱電機株式会社
有機電界効果型素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205286 出願人：株式会社東芝

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