磁気抵抗センサ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069612
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】不均一性を有する磁気抵抗材料薄膜(テルル化水銀カドミウム)から成る自己バイアス型非磁性巨大磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】基板100と、基板100上に形成され、実質的にテルル化水銀カドミウムHg1-xCdxTeである磁気抵抗材料からなり、互にxの値が異なる少なくとも二つの部分を有する不均一磁気抵抗層110と、不均一磁気抵抗層110上に形成された複数の電極120及び130とを有する。基板100と不均一磁気抵抗層110との間に、テルル化カドミウム(CdTe)からなる緩衝層が挿入されても良い。

請求項（抜粋）：

記憶装置の磁気記録媒体に記録された磁気パターンを磁気抵抗効果を利用して検知する磁気抵抗センサにおいて、基板と、前記基板上に積層された層であって、その内部に不均一性を有する磁気抵抗層と、前記磁気抵抗層に接続された複数の電極とを有することを特徴とする磁気抵抗センサ。

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