特許
J-GLOBAL ID：200903083012666088
半導体ウェーハの研削加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173826
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078793
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】ウェーハプロセスを終えたウェーハを、裏面研削とダイシングを経て個々のペレットに分割するまでの半導体装置の組み立て製造工程において、工程短縮、ターンアラウンドタイムの改善、及び設備費低減が可能な半導体ウェーハの研削方法を提供する。【構成】本発明は、複数の砥石軸を有する一台の研削加工装置を用い、半導体ウェーハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウェーハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で前記ウェーハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行なうことを特徴とする研削加工方法である。
請求項（抜粋）：
複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウェーハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウェーハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で前記ウェーハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行なうことを特徴とする半導体ウェーハの研削加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 331
