特許

J-GLOBAL ID：200903083018478658

半導体レーザ素子の劣化率算出方法及びその装置

発明者： 中川 真司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338693
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141593
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 マルチビーム型半導体レーザ素子のレーザビーム毎の劣化率を正確に算出して、製品の良/不良を適切に判定できるようなマルチビーム型半導体レーザ素子の劣化率算出方法を提供する。【解決手段】 本方法は、複数個のレーザビームを出射するマルチビーム型半導体レーザ素子を一つの受光素子による疑似APC駆動法によって制御して、劣化率をレーザビーム毎に算出する方法である。本方法は、被測定半導体レーザ素子の各レーザビームの光出力を、順次、指定した時間間隔で計測し、かつ、各レーザビームの光出力計測時の被測定半導体レーザ素子の印加電流を計測するステップ(S1 、S2 )と、光出力計測値および印加電流計測値に基づいて各レーザビームの微分効率を算出するステップ(S3 )と、微分効率の算出値に基づいて印加電流計測値を補正し、各レーザビームの印加電流補正値を求めるステップ(S4 )と、初期電流値と印加電流補正値に基づいてマルチビーム型半導体レーザ素子のレーザビーム毎の劣化率を算出するステップ(S6 )とを有する。

請求項（抜粋）：

複数個のレーザビームを出射するマルチビーム型半導体レーザ素子を一つの受光素子による疑似APC駆動法によって制御して、マルチビーム型半導体レーザ素子の劣化率をレーザビーム毎に算出する方法であって、被測定半導体レーザ素子の各レーザビームの光出力を、順次、指定した時間間隔で計測し、かつ、各レーザビームの光出力計測時の被測定半導体レーザ素子の印加電流を計測する過程と、被測定半導体レーザ素子の光出力計測値及び印加電流計測値に基づいて各レーザビームの微分効率を算出する過程と、微分効率の算出値に基づいて印加電流計測値を補正し、各レーザビームの印加電流補正値を求める過程とを有し、半導体レーザ素子の初期電流値と印加電流補正値に基づいてマルチビーム型半導体レーザ素子のレーザビーム毎の劣化率を算出することを特徴とするマルチビーム型半導体レーザ素子の劣化率算出方法。

IPC (2件)：

H01S 5/00 ,  H01S 5/40

FI (2件)：

H01S 5/00 ,  H01S 5/40

Fターム (3件)：

5F073AB04 ,  5F073HA10 ,  5F073HA12