特許
J-GLOBAL ID：200903083019871876
受光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119733
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312823
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 高周波ノイズ特性が改善される受光素子を提供する。【解決手段】 本発明による受光素子は、第1導電型を有する半導体基板1と、該半導体基板1上に形成された第2導電型を有する第1の半導体層4と、該第1の半導体層4の表面から該半導体基板1の表面に達するように形成され、該第1の半導体層4を複数の第1の領域に分割する該第1導電型を有する第2の半導体層5と、を備えた受光素子であって、該複数の第1の領域と、該半導体基板1の該複数の第1の領域の下に位置する部分と、によって信号光を検出する複数のフォトダイオード部が構成され、該第1の半導体層4の表面に、該第1導電型を有する第3の半導体層16がさらに設けられており、該第3の半導体層16は、該第1の半導体層4に電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する半導体基板と、該半導体基板上に形成された第2導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層の表面から該半導体基板の表面に達するように形成され、該第1の半導体層を複数の第1の領域に分割する該第1導電型を有する第2の半導体層と、を備えた受光素子であって、該複数の第1の領域と、該半導体基板の該複数の第1の領域の下に位置する部分と、によって信号光を検出する複数のフォトダイオード部が構成され、該第1の半導体層の表面に、該第1導電型を有する第3の半導体層がさらに設けられており、該第3の半導体層は、該第1の半導体層に電気的に接続されている、受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
