特許
J-GLOBAL ID：200903083020137574
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196863
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064613
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は真性領域である半導体層を被覆する保護絶縁膜を有する半導体装置に関し、保護絶縁膜と半導体層の熱膨張係数の差によるストレスの発生を抑制することにより、製造歩留り、素子特性或いは信頼性の向上を図る。【構成】 半導体基板11上に形成された真性領域である半導体層13,18,23,24を被覆する保護絶縁膜30を有する半導体装置において、保護絶縁膜30としてアンドープ又は非晶質の半導体膜を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された真性領域である半導体層を被覆する保護絶縁膜を有する半導体装置において、前記保護絶縁膜としてアンドープ又は非晶質の半導体膜を用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/203
, H01L 21/31
, H01L 29/205
