特許

J-GLOBAL ID：200903083020585682

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111862
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309265
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流が少なく、かつ、スイッチング速度の改良されたノーマリーON型の有機薄膜トランジスタを提供することにあり、又、別の目的は、大気圧環境下で製造することのできる、より低コストの有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。さらに、別の目的は、安価なFPD等の有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】 支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が10-2S/cm以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

請求項（抜粋）：

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が10-2S/cm以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  B41J 2/01 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00

FI (8件)：

G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/28 ,  B41J 3/04 101 Z

Fターム (55件)：

2C056FB01 ,  2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA33 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA09 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092MA03 ,  2H092MA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092NA22 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32