特許

J-GLOBAL ID：200903083021437709

アクティブマトリクス回路

発明者： 須沢 英臣
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-281867
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154755
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタによって構成されたアクティブマトリクス回路とその駆動回路の新しい構成を提案する。【構成】 ドーピングプロセスとサイドウォールを組み合わせることにより、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型もしくはP型のいずれか一方の不純物をドーピングし、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタと導電型が同じで、かつ、周辺回路に使用されている薄膜トランジスタのソース/ドレインにはP型およびN型の不純物が両方とも含まれるようにする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上の第1の薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス回路と、前記絶縁表面上の第2の薄膜トランジスタを有し、アクティブマトリクス回路を駆動させるための周辺回路とを有し、前記第1と第2の薄膜トランジスタは活性層上のゲイト電極と、前記ゲイト電極の上面及び側面の陽極酸化物と、前記陽極酸化物の側面のサイドウォールとを有し、前記第1の薄膜トランジスタは前記サイドウォールの下にオフセット領域を有し、前記第2の薄膜トランジスタは前記サイドウォールの下に低濃度不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 613 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A