特許
J-GLOBAL ID：200903083021618797
半導体モードロックレーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193329
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 単峰性で幅が短くトランスフォームリミットに近い良質な光短パルスを発生できる半導体モードロックレーザを高歩留まりで得る。【構成】 利得領域Iと光導波路領域IIとの間の結合部は、光導波路構造が滑らかに連続して変化する遷移領域Mを介して連結する。この利得領域I、遷移領域M、および光導波路領域IIは、基板7上に絶縁体マスク(不図示)を所定の開口幅に設定して領域選択成長を順次行うことにより、一括成長して形成する。これにより両領域I,II間に、不連続を起こす活性層のエッチングおよびクラッッド層の再成長が無く、滑らかな遷移領域Tと領域I,IIが同時に形成される。
請求項（抜粋）：
バンドギャップが異なる複数の領域によって構成される光共振器構造を半導体基板上に有し、光共振器の複数の縦モード間の位相を同期することにより短光パルス列を発生する半導体モードロックレーザにおいて、前記各領域間を滑らかに結合する連続的に変化した光導波路構造の遷移領域を設けたことを特徴とする半導体モードロックレーザ。
IPC (2件)：
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