特許

J-GLOBAL ID：200903083022178430

フラックスゲートセンサ及びその製造方法

発明者： 山沢 清人 ,  佐藤 敏郎 ,  駒井 栄一 ,  佐々木 義人 ,  畑内 隆史
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282497
公開番号（公開出願番号）：特開2001-099654
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 従来のフラックスゲートセンサは、磁性層の周囲にソレノイド状のコイルを形成する必要や、薄膜磁性層の厚さ方向に外部磁界を印加する必要があった。【解決手段】 励磁コイル23及び検出コイル24並びに励磁コイル28及び検出コイル29a,29bを同一平面上に形成し、励磁コイル23及び検出コイル24の上部、励磁コイル28及び検出コイル29a,29bの下部に磁性層26a,26bを形成することにより、製造を容易にし感度を向上させる。

請求項（抜粋）：

交流電流が流されて誘導磁界を発生させる励磁コイルと、前記誘導磁界が流れる磁性層と、前記磁性層を介して流れる誘導磁界によって電圧が誘起される検出コイルとを有するフラックスゲートセンサにおいて、前記励磁コイルは、基板上にスパイラル形状に巻回されて形成されており、前記検出コイルは前記励磁コイルの内周側または外周側の同一平面上に形成されて前記励磁コイルとともにコイル層を形成しており、さらに前記磁性層が、前記励磁コイルおよび前記検出コイルの上部または下部に形成されていることを特徴とするフラックスゲートセンサ。