特許
J-GLOBAL ID：200903083022889166
赤外線検出素子とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082637
公開番号（公開出願番号）：特開平8-278193
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 感熱半導体層の赤外線検出感度と赤外線吸収感度を向上し、感熱半導体層自体で赤外線の吸収と検出の両方ができ、特別な吸熱層を設けずに感熱半導体自体で赤外線の検出ができる赤外線検出素子を提供することである。【構成】 基板と、この基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成された温度に対して電気抵抗が変化し、この抵抗温度係数が比較的大きな半導体層およびこの半導体層を挟んで形成された高濃度不純物層とで形成される感熱半導体層と、この高濃度不純物層と接続された電極とを備えた構造とする。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され温度に対して電気抵抗が変化し、その抵抗温度係数が比較的大きい半導体層およびこの半導体層を挟んで形成された高濃度不純物層とで形成される感熱半導体層と、上記高濃度不純物層と接続された電極とを備えた赤外線検出素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01J 1/02 C
, G01J 1/02 B
, H01L 27/14 K
