特許

J-GLOBAL ID：200903083025225951

光電変換素子

発明者： 宮地 賢司 ,  芦田 芳徳 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202405
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053532
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【構成】 透光性基板、透明電極、p型半導体薄膜、i型半導体薄膜、n型半導体薄膜、裏面電極の順に積層して形成された光電変換素子において、透明電極とp型半導体薄膜の間に、5 〜100 Åの膜厚の0.1 S/cm以上の導電率を有するガリウム窒化物薄膜を介在させる光電変換素子。【効果】 本発明により、透明電極とp型半導体薄膜との反応や還元が抑制され、短絡光電流、特に、開放端電圧が著しく改善された。その結果、極めて高い光電変換効率を有する非晶質シリコン太陽電池が得られるようになった。

請求項（抜粋）：

透光性基板、透明電極、p型半導体薄膜、i型半導体薄膜、n型半導体薄膜、裏面電極の順に積層して形成された光電変換素子において、透明電極とp型半導体薄膜の間に、0.1 S/cm以上の導電率を有するガリウム窒化物薄膜を介在せしめたことを特徴とする光電変換素子。