特許
J-GLOBAL ID：200903083031271639
CVD膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021362
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【構成】 CVD膜6及び7の膜厚及び品質を、高周波発振器から出力される高周波信号の周波数fを複数の段階f1及びf2に切り換えることによって制御することを特徴としている。【効果】 シリコンウエハ2の裏面に絶縁膜3が堆積している場合にも、膜厚が一定で、かつ所望の品質のCVD膜6及び7を形成することができるCVD膜形成方法が得られる効果がある。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置に備えられた高周波発振器から前記プラズマCVD装置に高周波信号を印加し、前記プラズマCVD装置によって半導体ウエハ上にCVD膜を形成する方法において、前記CVD膜の膜厚及び品質を、前記高周波信号の周波数を複数の段階に切り換えることによって制御することを特徴とするCVD膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
