特許
J-GLOBAL ID：200903083034877520
金属基板のCu箔配線上へのNiメツキ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136542
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】メッキ膜の厚さのばらつきが少なく、樹脂層上へのメッキ金属の析出がない金属基板のCu箔配線上へのNiメッキ形成方法の提供。【構成】予めNiメッキを施したCu箔10を金属基板1上に接着剤2を介して接合した後、エッチングにより所望の配線パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
予めNiメッキを施したCu箔を金属基板上に絶縁性を有する接着剤を介して接合した後、エッチングにより配線パターンを形成することを特徴とする金属基板のCu箔配線上へのNiメッキ形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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