半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033386
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜全体の膜応力を低くすることにより、ウエハの反りを低減することができる技術を提供する。【解決手段】第3層配線M3と第4層配線M4との層間絶縁膜TH4を、CVD法により形成されたTEOS膜TH4a、TEOS膜TH4a上にSOG膜を塗布し、熱処理を施すことにより形成されたSOG膜TH4bおよびこのSOG膜TH4b上に形成されたTEOS膜TH4cの積層構造膜とする。これらの膜を積層することにより各膜の膜応力が相殺され、ウエハの反りを低減することができる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に第1の配線を形成する工程と、(b)前記第1の配線上に第2の絶縁膜を形成する工程と、(c)前記第2の絶縁膜上に前記第2の絶縁膜の膜応力を緩和させる第3の絶縁膜を形成する工程と、(d)前記第3の絶縁膜上に第2の配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 21/90 M

Fターム (56件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030HA02 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033XX19 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

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