特許

J-GLOBAL ID：200903083037344557

強誘電体メモリ及びシステム

発明者： 藤澤 宏樹 ,  阪田 健 ,  関口 知紀 ,  河原 尊之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-297041
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125076
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 ダミーセルにより得られる参照電圧のレベルを比較的容易に最適化しうる強誘電体RAM等を実現する。これにより、強誘電体RAM等の読み出しマージンを拡大し、その信頼性を高める。【解決手段】 ダミーセルを構成する強誘電体キャパシタCyt及びCybならびにアドレス選択MOSFETQyt及びQybを、データ保持用の強誘電体メモリセルを構成する強誘電体キャパシタCst,Csbならびにアドレス選択MOSFETQst及びQsbと同一のデバイス構造とするとともに、読み出し動作時、例えば選択された強誘電体メモリセルが接続される非反転ビット線B0Tに所定の容量値を有するダミー容量Cmを接続し、その容量値を対応するダミーセルが接続される反転ビット線B0Bの約2倍とする。

請求項（抜粋）：

指定された強誘電体メモリセルが選択的に接続される第1のビット線と、上記第1のビット線に選択的に接続されるダミー容量と、所定のダミーセルが選択的に接続される第2のビット線と、その一方の入力端子が上記第1のビット線に接続されその他方の入力端子が上記第2のビット線に接続される差動型のセンスアンプとを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451