特許

J-GLOBAL ID：200903083041312031

発光素子

発明者： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291618
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 III族元素を含む窒化物系薄膜からなる紫外色から橙色までの発光を有する発光素子を得ること。【構成】 基板上形成されたGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体からなる組成傾斜構造、その上にGa1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)からなるn型半導体層およびp型あるいはi型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有した構造からなる発光素子。

請求項（抜粋）：

基板上に直接形成されたGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体層において順次xおよび/あるいはyを変化せしめて最終的に組成Ga1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)とするような組成傾斜構造を有し、かつGa1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)からなるn型半導体層およびp型あるいはi型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有し、該発光層に電圧を印加するために半導体層の所望の部位に電極が形成されてなることを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203