特許
J-GLOBAL ID：200903083050560439
単結晶薄膜部材の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045617
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 薄膜部の寸法のバラツキをなくすと共に、シリコン基板外周部への不必要なエッチングを防ぎ、また金属薄膜の蒸着を不要とした単結晶薄膜部材を得る。【構成】 単結晶薄膜部材の製造方法において、p型シリコン基板10にn型不純物を高濃度で導入した領域11を形成し、その領域11に高濃度で深く導入される高濃度n型シリコン層14と、その高濃度n型シリコン層14に接続されるn型高濃度層18とを順に成長させる工程と、そのn型高濃度層18を電極として所定領域をエレクトロケミカルエッチングを行う工程とを施す。
請求項（抜粋）：
(a)第1導電型半導体基板に第2導電型半導体層を高濃度で深く導入する工程と、(b)該第2導電型半導体層に接続される第2導電型の高濃度のエピタキシャル層を形成する工程と、(c)該エピタキシャル層を電極として所定領域をエレクトロケミカルエッチングを行う工程とを施すことを特徴とする単結晶薄膜部材の製造方法。
IPC (2件)：
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