特許

J-GLOBAL ID：200903083050856591

ボンド磁石材料とボンド磁石成形品

発明者： 川本 淳 ,  坪井 義博
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156758
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340021
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 温度上昇に伴う磁束の変化が少ないボンド磁石材料とボンド磁石成形品を提供する。【解決手段】 このボンド磁石材料とボンド磁石成形品は、硬磁性材料粉末、キュリー温度が磁石使用温度範囲若しくはその近傍温度範囲にある軟磁性材料粉末、および有機バインダーを含有し、かつ、硬磁性材料と軟磁性材料の混合粉末中における軟磁性材料粉末の混合割合xが式(2)に基づいて設定されていることを特徴とする。 dB=(1-x)・dBrp-x・dBss (2)[但し、式(2)中dBは磁石外部に発生する磁束密度の温度変化、dBrpは硬磁性材料における残留磁束密度の温度変化、dBssは軟磁性材料における飽和磁束密度の温度変化をそれぞれ示す]

請求項（抜粋）：

硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末、および、有機バインダーを含有し、かつ、硬磁性材料と軟磁性材料の混合粉末中における軟磁性材料粉末の混合割合xが式(2)に基づいて設定されていることを特徴とするボンド磁石材料。 dB=(1-x)・dBrp-x・dBss (2)[但し、式(2)中dBは磁石外部に発生する磁束密度の温度変化、dBrpは硬磁性材料における残留磁束密度の温度変化、dBssは軟磁性材料における飽和磁束密度の温度変化をそれぞれ示す]

IPC (2件)：

H01F 1/08 ,  H01F 1/12

FI (2件)：

H01F 1/08 A ,  H01F 1/12