特許

J-GLOBAL ID：200903083052999438

半導体集積回路装置

発明者： 益田 裕久 ,  田代 雅久
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165469
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012825
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 特別な面積を必要とせず、既存の領域のみで電源ノイズを吸収することができるデカップリング容量を有する半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 全てのユニットセルの電源/GND専用のアクティブ領域23,32にかかるように多結晶シリコン層43を形成して、MOS容量を構成する。つまり、基板電位をとる拡散層上に多結晶シリコン層43を配置することにより、デカップリング容量を得る。したがって、電源ノイズを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

セミカスタムLSIのユニットセルにおいて、電源/GND専用のP+ アクティブ領域にかかるように多結晶シリコン層を配置してデカップリング容量を得ることにより、電源ノイズを抑えることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/82 P ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F