特許

J-GLOBAL ID：200903083054672045

フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂

発明者： 西佐古 宏志
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019869
公開番号（公開出願番号）：特開2002-221792
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 LCD製造ラインにおいて昇華物による汚染を低減し、歩留まり向上を図ること、および印刷原版における耐刷性・耐熱性アップを可能にすることを目的とする、2核体成分の少ないフォトレジスト用フェノ-ル樹脂を提供する。【解決手段】 フェノールおよび/またはメタクレゾール10〜70mol%、2,3ーキシレノール30〜90mol%からなるフェノ-ル類と、ホルムアルデヒドおよび/またはパラホルムアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる樹脂で、GPC測定による2核体成分の面積比率が5%以下であり、重量平均分子量が1000〜20000であることを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノ-ル樹脂。

請求項（抜粋）：

フェノールおよび/またはメタクレゾール10〜70mol%、2,3ーキシレノール30〜90mol%からなるフェノ-ル類と、ホルアルデヒドおよび/またはパラホルムアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる樹脂で、GPC測定による2核体成分の面積比率が5%以下であり、重量平均分子量が1000〜20000であることを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノ-ル樹脂。

IPC (3件)：

G03F 7/032 ,  C08G 8/24 ,  G03F 7/00 503

FI (3件)：

G03F 7/032 ,  C08G 8/24 ,  G03F 7/00 503

Fターム (27件)：

2H025AA01 ,  2H025AA10 ,  2H025AA12 ,  2H025AB03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB29 ,  2H025CB51 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  2H096AA06 ,  2H096BA10 ,  2H096GA08 ,  4J033CA02 ,  4J033CA09 ,  4J033CA11 ,  4J033CA12 ,  4J033CA29 ,  4J033CC03 ,  4J033HA02 ,  4J033HA12 ,  4J033HB10