特許

J-GLOBAL ID：200903083054997122

ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法

発明者： 楓 弘志 ,  伊藤 顕知 ,  川本 和民 ,  黒沢 久夫 ,  伊藤 康平 ,  佐藤 正純
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 牧 克次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110751
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279193
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長によりニオブ酸リチウム単結晶薄膜を製造する方法において、ルツボ内の溶融体の温度分布及び各成分の混合状態を均一にし、所定膜厚であって光学特性のよいものを製造できるようにした。【構成】 Li2 O、Nb2 O5 、V2 O5 を含む原料をルツボ2内で加熱溶融し、その溶融体内に攪拌羽根8を入れて、攪拌羽根を3時間以下上下動するとともに正逆回転して溶融体を均一混合状態にするとともに、温度分布を均一にしてエピタキシャル成長をさせた。

請求項（抜粋）：

炉心管内のルツボ内でLi2 O、Nb2 O5 、V2 O5 を含む原料を加熱溶融し、その溶融体に基板を接触させてエピタキシャル成長によりニオブ酸リチウム単結晶薄膜を製造する方法において、エピタキシャル成長の前に溶融体内に攪拌羽根を入れて、攪拌羽根を3時間以下上下動するとともに正逆回転して溶融体を均一混合状態にするとともに温度分布を均一にすることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C30B 19/04 ,  G02F 1/35 505 ,  H01S 3/18