特許

J-GLOBAL ID：200903083055282100

半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、処理室の減圧方法、反応生成物の除去方法および反応生成物の堆積抑制方法

発明者： 長谷川 誠 ,  三田 淳夫 ,  野村 晴彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078402
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】ワークを加熱せずに、ワークから反応生成物を除去できる半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法を提供する。【構成】ロードロックチャンバ3の中に設置された半導体ウェーハ(ワーク)111を支持する支持台122と、この支持台122に取り付けられた超音波振動子131と、この超音波振動子131から超音波を発生させるための電気信号を発振する発振器142を含む超音波発生装置141とを持ち、支持台122に置かれている半導体ウェーハ111に、この支持台122を介して超音波を与えることで、プラズマエッチング中にウェーハ111に付着した反応生成物、例えば塩素を、ウェーハ111から除去する。

請求項（抜粋）：

ワークを支持する支持体と、前記支持体に接続された、前記支持体を介して前記ワークに音波を供給する音波供給機とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/10 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H