特許

J-GLOBAL ID：200903083057351410

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： 水島 賢子 ,  水谷 晶代
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037074
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 CVD装置・ドライエッチング装置等、反応チャンバを有する半導体製造装置の反応チャンバ内のクリーニング方法に関し、反応チャンバ内に付着堆積する反応生成物を完全に除去することを目的とする。【構成】 装置使用前に予め Al 製の反応チャンバ1内面に Ti の薄膜2を被着する。装置使用後に反応チャンバ1内を排気しながら H2Sガスを導入して薄膜2を選択的に除去する。その結果、反応チャンバ1内面に付着堆積した反応生成物が除去される。更に引続き反応チャンバ1内に N2 ガスを流してパージする。本装置の再使用に際しては、以上の作業を繰り返す。

請求項（抜粋）：

反応チャンバを有する半導体製造装置のクリーニング方法であって、該半導体製造装置使用前に予め該反応チャンバの内面に該反応チャンバの内面表層を構成する材料とは異なる材料の薄膜を被着し、該半導体製造装置使用後に該薄膜を選択的にエッチングして該薄膜上に付着した反応生成物を該薄膜と共に除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285