特許

J-GLOBAL ID：200903083061458962

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製法

発明者： 新居 圭太
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090285
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタをヘテロ接合で形成し、一層の高増幅率で動作速度を高め、高周波にも対応できるようにし、しかも容易に製造できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 半導体基板上に3c- SiC層、Si層および3c- SiC層を順次形成し、Si層をベース領域、二つの3c- SiC層をそれぞれエミッタ領域とコレクタ領域として形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

請求項（抜粋）：

第1の導電型半導体基板上に第1の導電型3c- 炭化ケイ素層と第2の導電型ケイ素層と第1の導電型3c- 炭化ケイ素層とが順次形成され、前記二つの第1の導電型3c- 炭化ケイ素層がコレクタ領域とエミッタ領域に、前記第2の導電型ケイ素層がベース領域とされてなるヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/267

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-019869
  
• 特開平2-238631
  
• 特開平2-209833
  
• 特開昭63-278321