特許
J-GLOBAL ID：200903083065575033
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050648
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 下地電極上に常に良好な半田バンプを形成できるようにする。【解決手段】 下地電極14が配列された半導体基板12の表面全体に、たとえば錫か、錫を含む合金などを蒸着あるいはスパッタして薄膜2を形成する。次にスクリーン印刷のためメタルスクリーン18を半導体基板12上に配置し、その各開口部16を通じて半田ペースト20を各下地電極14上の薄膜2の表面に付着させる。その後、メタルスクリーン18を排除すると、各下地電極14上の薄膜2の表面に半田ペースト20がそれぞれ付着した状態となり、つづいて半導体基板12を加熱炉内に収容して全体を加熱する。これにより金属材料の薄膜2が溶融し、溶融した金属材料は、溶融した半田ペースト20とともに下地電極14の方向に吸い寄せられ、下地電極14の箇所に集中する。また、下地電極14があらかじめ上記金属材料により覆われているため半田の馴染みが向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配置された下地電極上に半田バンプを形成する方法であって、少なくとも前記下地電極の表面および前記下地電極周辺の半導体基板表面に、半田に含まれる金属材料によって薄膜を形成し、前記下地電極上の前記薄膜の表面に半田ペーストを付着させ、前記金属材料による前記薄膜および前記半田ペーストを加熱し溶融させて前記下地電極上に半田バンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 C
, H01L 21/92 604 E
